casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN21D2UFB-7B
codice articolo del costruttore | DMN21D2UFB-7B |
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Numero di parte futuro | FT-DMN21D2UFB-7B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN21D2UFB-7B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 760mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990 mOhm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.93nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27.6pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 380mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Pacchetto / caso | 3-UFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN21D2UFB-7B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN21D2UFB-7B-FT |
ZXMN3A02X8TC
Diodes Incorporated
DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
DMP1200UFR4-7
Diodes Incorporated
DMT3006LDK-7
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SJ3
Diodes Incorporated
DMN3025LFV-13
Diodes Incorporated
DMP3018SFV-7
Diodes Incorporated
DMN1004UFV-13
Diodes Incorporated
DMN1004UFV-7
Diodes Incorporated
DMP3013SFV-13
Diodes Incorporated
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel