casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN2019UTS-13
codice articolo del costruttore | DMN2019UTS-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2019UTS-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2019UTS-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
Potenza - Max | 780mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2019UTS-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2019UTS-13-FT |
SIL2623-TP
Micro Commercial Co
SSM6N43FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
FDY2000PZ
ON Semiconductor
FDY3000NZ
ON Semiconductor
FDY1002PZ
ON Semiconductor
FDY4000CZ
ON Semiconductor
FDY2001PZ
ON Semiconductor
FDY3001NZ
ON Semiconductor
FDY4001CZ
ON Semiconductor
SM6K2T110
Rohm Semiconductor
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XC4005XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
LCMXO2-7000ZE-1FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R4F40E3SG
Intel
EP20K400EBC652-2
Intel