casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SM6K2T110
codice articolo del costruttore | SM6K2T110 |
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Numero di parte futuro | FT-SM6K2T110 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SM6K2T110 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
Potenza - Max | 300mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6K2T110 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM6K2T110-FT |
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
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IRF5851
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XA3S250E-4TQG144Q
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Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325I
Xilinx Inc.
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A1010B-2PLG44I
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XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
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EP20K100EQC240-1X
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