casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDY2000PZ
codice articolo del costruttore | FDY2000PZ |
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Numero di parte futuro | FT-FDY2000PZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDY2000PZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 10V |
Potenza - Max | 446mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDY2000PZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDY2000PZ-FT |
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
IRF5851
Infineon Technologies
A42MX36-3BGG272
Microsemi Corporation
A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F23C8L
Intel
XC4010XL-1PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC208-2X
Intel