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Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8TA

Numero parte MFG
ZXMN3F31DN8TA
quantità disponibile
88240 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.3872
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Data di spedizione
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore ZXMN3F31DN8TA
Numero di parte futuro FT-ZXMN3F31DN8TA
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ZXMN3F31DN8TA Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V
Potenza - Max 1.8W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN3F31DN8TA Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ZXMN3F31DN8TA-FT

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