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Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA

Name: ZXMN10A08DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A08DN8TA
Price: 0.419936 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (635 reviews)

Numero parte MFG: ZXMN10A08DN8TA

quantità disponibile: 21060 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.419936

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ZXMN10A08DN8TA.pdf

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ZXMN10A08DN8TA specificazioni

codice articolo del costruttore	ZXMN10A08DN8TA
Numero di parte futuro	FT-ZXMN10A08DN8TA
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMN10A08DN8TA Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 50V
Potenza - Max	1.25W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10A08DN8TA Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ZXMN10A08DN8TA-FT

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