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Diodes Incorporated DMN2011UFDE-7

Name: DMN2011UFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2011UFDE-7
Price: 0.226168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (664 reviews)

Numero parte MFG: DMN2011UFDE-7

quantità disponibile: 11850 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.226168

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN2011UFDE-7.pdf

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DMN2011UFDE-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN2011UFDE-7
Numero di parte futuro	FT-DMN2011UFDE-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN2011UFDE-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2248pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	610mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	U-DFN2020-6 (Type E)
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2011UFDE-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN2011UFDE-7-FT

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