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Diodes Incorporated DMN10H120SFG-13

Numero parte MFG
DMN10H120SFG-13
quantità disponibile
53090 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.233352
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMN10H120SFG-13 specificazioni

codice articolo del costruttore DMN10H120SFG-13
Numero di parte futuro FT-DMN10H120SFG-13
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN10H120SFG-13 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 549pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H120SFG-13 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN10H120SFG-13-FT

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