casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN10H120SFG-13
codice articolo del costruttore | DMN10H120SFG-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN10H120SFG-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN10H120SFG-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 549pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H120SFG-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN10H120SFG-13-FT |
DMN30H4D0LFDE-13
Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-7
Diodes Incorporated
DMN4020LFDE-13
Diodes Incorporated
DMP2021UFDE-7
Diodes Incorporated
DMP2039UFDE-7
Diodes Incorporated
DMP25H18DLFDE-13
Diodes Incorporated
DMP25H18DLFDE-7
Diodes Incorporated
DMP3026SFDE-13
Diodes Incorporated
DMP3026SFDE-7
Diodes Incorporated
DMP2039UFDE4-7
Diodes Incorporated
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel