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codice articolo del costruttore | DMP25H18DLFDE-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMP25H18DLFDE-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP25H18DLFDE-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 260mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±40V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 81pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 600mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type E) |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP25H18DLFDE-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP25H18DLFDE-7-FT |
ZXMN2A02N8TA
Diodes Incorporated
DMN4025LSD-13
Diodes Incorporated
DMG4407SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4413LSS-13
Diodes Incorporated
DMG4466SSSL-13
Diodes Incorporated
DMG4496SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4710SSS-13
Diodes Incorporated
DMN2009LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSSQ-13
Diodes Incorporated
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel