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Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7

Name: DMN1032UCB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1032UCB4-7
Price: 0.201168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (229 reviews)

Numero parte MFG: DMN1032UCB4-7

quantità disponibile: 47050 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.201168

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN1032UCB4-7.pdf

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DMN1032UCB4-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN1032UCB4-7
Numero di parte futuro	FT-DMN1032UCB4-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN1032UCB4-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 6V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	900mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	U-WLB1010-4
Pacchetto / caso	4-UFBGA, WLBGA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1032UCB4-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN1032UCB4-7-FT

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