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Diodes Incorporated ZXMN3B04N8TA

Name: ZXMN3B04N8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3B04N8TA
Price: 0.60456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (199 reviews)

Numero parte MFG: ZXMN3B04N8TA

quantità disponibile: 99930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.60456

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ZXMN3B04N8TA.pdf

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ZXMN3B04N8TA specificazioni

codice articolo del costruttore	ZXMN3B04N8TA
Numero di parte futuro	FT-ZXMN3B04N8TA
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMN3B04N8TA Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.1nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2480pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN3B04N8TA Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ZXMN3B04N8TA-FT

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