casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / DMMT5551-7-F
codice articolo del costruttore | DMMT5551-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DMMT5551-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMMT5551-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-26 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMMT5551-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMMT5551-7-F-FT |
PBSS4350SS,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4021SP,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4021SPN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4032SN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4032SPN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4041SN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4041SP,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4041SPN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4350SPN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4350SSJ
Nexperia USA Inc.
XC2V8000-4FFG1517C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3N
Intel
10M16DCF484C8G
Intel
10M04DCF256C8G
Intel
10M04DCF256A7G
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation