casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS4350SPN,115
codice articolo del costruttore | PBSS4350SPN,115 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PBSS4350SPN,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS4350SPN,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2.7A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V / 180 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4350SPN,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS4350SPN,115-FT |
BC857CDW1T1
ON Semiconductor
BC858CDW1T1
ON Semiconductor
BC858CDW1T1G
ON Semiconductor
MBT3904DW2T1
ON Semiconductor
MBT3904DW2T1G
ON Semiconductor
MBT3906DW1T1
ON Semiconductor
MBT3946DW1T1
ON Semiconductor
MBT6429DW1T1
ON Semiconductor
UMZ1NT1
ON Semiconductor
NSS40300DDR2G
ON Semiconductor
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-3
Intel
5SGXEA7H2F35I2L
Intel
XC4010XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PC84I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I1SG
Intel
10AX016E3F29I2LG
Intel