casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMHC10H170SFJ-13
codice articolo del costruttore | DMHC10H170SFJ-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMHC10H170SFJ-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMHC10H170SFJ-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1167pF @ 25V |
Potenza - Max | 2.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 12-VDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | V-DFN5045-12 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMHC10H170SFJ-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMHC10H170SFJ-13-FT |
DMGD7N45SSD-13
Diodes Incorporated
DMHC4035LSD-13
Diodes Incorporated
DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated
DMHC6070LSD-13
Diodes Incorporated
DMN3033LSD-13
Diodes Incorporated
DMN4026SSDQ-13
Diodes Incorporated
DMN6022SSD-13
Diodes Incorporated
DMN6070SSD-13
Diodes Incorporated
DMNH4015SSD-13
Diodes Incorporated
DMNH4026SSDQ-13
Diodes Incorporated
EP1C6T144C6
Intel
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10CX220YU484E6G
Intel
EP4CE22E22C7
Intel
5SGSMD8N3F45I4N
Intel
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-1N
Intel