casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN6070SSD-13
codice articolo del costruttore | DMN6070SSD-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN6070SSD-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN6070SSD-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 588pF @ 30V |
Potenza - Max | 1.2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN6070SSD-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN6070SSD-13-FT |
DMN5L06VA-7
Diodes Incorporated
DMP57D5UV-7
Diodes Incorporated
ZXMHC10A07T8TA
Diodes Incorporated
ZXMHC6A07T8TA
Diodes Incorporated
ZXMHC3A01T8TA
Diodes Incorporated
ZXMHN6A07T8TA
Diodes Incorporated
ZDM4206NTA
Diodes Incorporated
ZDM4206NTC
Diodes Incorporated
ZDM4306NTA
Diodes Incorporated
ZDM4306NTC
Diodes Incorporated
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXMA3K2F35C2LN
Intel
EP3SL340H1152I3N
Intel
XC5VFX30T-1FF665CES
Xilinx Inc.
XC7VX330T-2FFG1157I
Xilinx Inc.