casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMG9926USD-13
codice articolo del costruttore | DMG9926USD-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG9926USD-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG9926USD-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 867pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.3W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG9926USD-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG9926USD-13-FT |
BSS84V-7
Diodes Incorporated
DMG1029SV-7
Diodes Incorporated
DMN601VK-7
Diodes Incorporated
DMG1016VQ-13
Diodes Incorporated
DMG1016VQ-7
Diodes Incorporated
DMN601VKQ-7
Diodes Incorporated
2N7002V-7
Diodes Incorporated
2N7002VA-7
Diodes Incorporated
DMN5L06V-7
Diodes Incorporated
DMN5L06VA-7
Diodes Incorporated
LFXP2-8E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQ100C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX125-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C3
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation