casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN601VKQ-7
codice articolo del costruttore | DMN601VKQ-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN601VKQ-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN601VKQ-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 305mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Potenza - Max | 250mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN601VKQ-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN601VKQ-7-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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A54SX08A-1TQ100
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LFXP3C-5QN208C
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LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H2F35I2L
Intel