casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMG1016VQ-7
codice articolo del costruttore | DMG1016VQ-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG1016VQ-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG1016VQ-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 870mA, 640mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
Potenza - Max | 530mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG1016VQ-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG1016VQ-7-FT |
FDS6984S
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FDS6993
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10CL016YU256I7G
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XC5VFX30T-1FF665CES
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Xilinx Inc.