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Diodes Incorporated DMG4N60SJ3

Name: DMG4N60SJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4N60SJ3
Price: 0.52928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (762 reviews)

Numero parte MFG: DMG4N60SJ3

quantità disponibile: 91890 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.52928

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET NCH 600V 3A TO251

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMG4N60SJ3.pdf

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DMG4N60SJ3 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMG4N60SJ3
Numero di parte futuro	FT-DMG4N60SJ3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMG4N60SJ3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	532pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	41W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG4N60SJ3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMG4N60SJ3-FT

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