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Diodes Incorporated DMG4N60SJ3
- Numero parte MFG
- DMG4N60SJ3
- quantità disponibile
- 91890 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.52928
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Diodes Incorporated
- Breve descrizione
- - MOSFET NCH 600V 3A TO251
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- DMG4N60SJ3.pdf
DMG4N60SJ3 specificazioni
| codice articolo del costruttore | DMG4N60SJ3 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DMG4N60SJ3 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DMG4N60SJ3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 532pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMG4N60SJ3 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DMG4N60SJ3-FT |
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