casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APTM10DAM02G
codice articolo del costruttore | APTM10DAM02G |
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Numero di parte futuro | FT-APTM10DAM02G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM10DAM02G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 495A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 200A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1360nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Pacchetto / caso | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10DAM02G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM10DAM02G-FT |
TSM70N600ACL X0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FCP9N60N-F102
ON Semiconductor
SQM200N04-1M1L_GE3
Vishay Siliconix
SQM200N04-1M7L_GE3
Vishay Siliconix
SQM40081EL_GE3
Vishay Siliconix
STP45N60DM6
STMicroelectronics
STW45N60DM6
STMicroelectronics
BSC010N04LSCATMA1
Infineon Technologies
BSC019N04LSTATMA1
Infineon Technologies
NVMTS0D4N04CLTXG
ON Semiconductor
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel