casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APTC60SKM24CT1G
codice articolo del costruttore | APTC60SKM24CT1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTC60SKM24CT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
APTC60SKM24CT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 47.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 462W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Pacchetto / caso | SP1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTC60SKM24CT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTC60SKM24CT1G-FT |
SQ4182EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4425EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4483BEEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
IAUS165N08S5N029ATMA1
Infineon Technologies
FDP038AN06A0-F102
ON Semiconductor
TSM80N1R2CL C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM70N600ACL X0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FCP9N60N-F102
ON Semiconductor
SQM200N04-1M1L_GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel