casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201210U-1R0M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201210U-1R0M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE201210U-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201210U |
DFE201210U-1R0M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2A |
Corrente - Saturazione | 3.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 95 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201210U-1R0M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201210U-1R0M=P2-FT |
DFE201610R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612R-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-2R2M=P2
Murata Electronics North America
A54SX32A-FGG484
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M1A3P600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FG256A
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381C
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EPF10K50EFC484-1
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5SGXEA7K2F40I2LN
Intel
XC6SLX16-2CSG324I
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LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C4N
Intel
5SGXEA3H3F35C3N
Intel