casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201612P-1R5M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201612P-1R5M=P2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DFE201612P-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201612P |
DFE201612P-1R5M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.7A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 95 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201612P-1R5M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201612P-1R5M=P2-FT |
LQG15WZ3N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N1C02D
Murata Electronics North America
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel