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codice articolo del costruttore | DFE18SAN1R0MG0L |
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Numero di parte futuro | FT-DFE18SAN1R0MG0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE18SAN |
DFE18SAN1R0MG0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.7A |
Corrente - Saturazione | 2.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 128 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE18SAN1R0MG0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE18SAN1R0MG0L-FT |
DFE252010P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R15M=P2
Murata Electronics North America
AGLE600V2-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC484-1
Intel
5SGXMB5R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
XC4005L-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5M13C7N
Intel