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codice articolo del costruttore | DFE252010R-H-2R2M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252010R-H-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010R |
DFE252010R-H-2R2M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.7A |
Corrente - Saturazione | 2.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 126 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252010R-H-2R2M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252010R-H-2R2M=P2-FT |
82223C
Murata Power Solutions Inc.
82682C
Murata Power Solutions Inc.
82152C
Murata Power Solutions Inc.
82154C
Murata Power Solutions Inc.
82222C
Murata Power Solutions Inc.
82224C
Murata Power Solutions Inc.
82332C
Murata Power Solutions Inc.
82333C
Murata Power Solutions Inc.
82334C
Murata Power Solutions Inc.
82472C
Murata Power Solutions Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel