casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252010R-H-1R0M=P2

| codice articolo del costruttore | DFE252010R-H-1R0M=P2 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DFE252010R-H-1R0M=P2 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | DFE252010R |
| DFE252010R-H-1R0M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| genere | Wirewound |
| Materiale: core | Iron Powder |
| Induttanza | 1µH |
| Tolleranza | ±20% |
| Valutazione attuale | 2.7A |
| Corrente - Saturazione | 3A |
| Schermatura | Shielded |
| Resistenza DC (DCR) | 68 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| Frequenza - Autorisonante | - |
| Giudizi | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
| Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
| Caratteristiche | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DFE252010R-H-1R0M=P2 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DFE252010R-H-1R0M=P2-FT |

82102C
Murata Power Solutions Inc.

82104C
Murata Power Solutions Inc.

82223C
Murata Power Solutions Inc.

82682C
Murata Power Solutions Inc.

82152C
Murata Power Solutions Inc.

82154C
Murata Power Solutions Inc.

82222C
Murata Power Solutions Inc.

82224C
Murata Power Solutions Inc.

82332C
Murata Power Solutions Inc.

82333C
Murata Power Solutions Inc.

ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation

XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.

AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation

EP1M350F780C5
Intel

5SGXMA5N1F45C1N
Intel

EP4SE820H40C4N
Intel

AX1000-FG676
Microsemi Corporation

EP2AGX190EF29C5N
Intel

EPF10K50VBC356-4
Intel

EP3C40F324C8N
Intel