casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE18SAN1R0ME0L
codice articolo del costruttore | DFE18SAN1R0ME0L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DFE18SAN1R0ME0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE18SAN |
DFE18SAN1R0ME0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.6A |
Corrente - Saturazione | 2A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 144 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.032" (0.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE18SAN1R0ME0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE18SAN1R0ME0L-FT |
DFE252010R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R15M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252008C-1R0M=P2
Murata Electronics North America
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FT256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-2FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EFI672-2X
Intel
5SGXEA7K2F40C2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4VLX40-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation