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Infineon Technologies DF120R12W2H3B27BOMA1

Name: DF120R12W2H3B27BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DF120R12W2H3B27BOMA1
Price: 44.288 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (683 reviews)

Numero parte MFG: DF120R12W2H3B27BOMA1

quantità disponibile: 33990 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 44.288

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: - IGBT MODULE 800V 50A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DF120R12W2H3B27BOMA1.pdf

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DF120R12W2H3B27BOMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	DF120R12W2H3B27BOMA1
Numero di parte futuro	FT-DF120R12W2H3B27BOMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DF120R12W2H3B27BOMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	50A
Potenza - Max	180W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 40A
Corrente - Limite del collettore (max)	1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	2.35nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF120R12W2H3B27BOMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DF120R12W2H3B27BOMA1-FT

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