casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTD143EC-7-F
codice articolo del costruttore | DDTD143EC-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTD143EC-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTD143EC-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTD143EC-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTD143EC-7-F-FT |
DDTA114GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114YE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123YE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124GE-7-F
Diodes Incorporated
XC5206-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8N
Intel
10CX150YF672I6G
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
Intel