casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA123TE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTA123TE-7-F |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DDTA123TE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA123TE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA123TE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA123TE-7-F-FT |
BCR 196T E6327
Infineon Technologies
BCR 198T E6327
Infineon Technologies
BCR 199T E6327
Infineon Technologies
DDTA144GCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124TCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114TCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC125TCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115TCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123YCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC144WCA-7-F
Diodes Incorporated
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2
Intel
XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel