casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA123YE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTA123YE-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA123YE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA123YE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA123YE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA123YE-7-F-FT |
BCR 198T E6327
Infineon Technologies
BCR 199T E6327
Infineon Technologies
DDTA144GCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124TCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114TCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC125TCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115TCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123YCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC144WCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA113TCA-7
Diodes Incorporated
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP3CLS100F484I7N
Intel
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
EP3C5E144I7
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation