casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC123TE-7
codice articolo del costruttore | DDTC123TE-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTC123TE-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC123TE-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC123TE-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC123TE-7-FT |
DDTC124XCA-7
Diodes Incorporated
DDTC125TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC143FCA-7
Diodes Incorporated
DDTC144ECA-7
Diodes Incorporated
DDTC144GCA-7
Diodes Incorporated
DDTC144WCA-7
Diodes Incorporated
DDTD122TC-7
Diodes Incorporated
DDTD142TC-7
Diodes Incorporated
DDTC122LE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114EE-7-F
Diodes Incorporated
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel