casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC123TE-7
codice articolo del costruttore | DDTC123TE-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTC123TE-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC123TE-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC123TE-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC123TE-7-FT |
DDTC124XCA-7
Diodes Incorporated
DDTC125TCA-7
Diodes Incorporated
DDTC143FCA-7
Diodes Incorporated
DDTC144ECA-7
Diodes Incorporated
DDTC144GCA-7
Diodes Incorporated
DDTC144WCA-7
Diodes Incorporated
DDTD122TC-7
Diodes Incorporated
DDTD142TC-7
Diodes Incorporated
DDTC122LE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114EE-7-F
Diodes Incorporated
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG144CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2
Intel
EP4CE10F17I7N
Intel
5SGSMD5K2F40I3
Intel
5SGXEA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMABK1H40I2N
Intel