casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTD142TC-7
codice articolo del costruttore | DDTD142TC-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTD142TC-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTD142TC-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 470 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTD142TC-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTD142TC-7-FT |
BCR 142F E6327
Infineon Technologies
BCR 146F E6327
Infineon Technologies
BCR 148F B6327
Infineon Technologies
BCR 148F E6327
Infineon Technologies
BCR 149F E6327
Infineon Technologies
BCR 151F E6327
Infineon Technologies
BCR 153F E6327
Infineon Technologies
BCR 158F E6327
Infineon Technologies
BCR 162F E6327
Infineon Technologies
BCR 164F E6327
Infineon Technologies
EP1C6T144C8
Intel
EPF6016ATC144-1N
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23I7
Intel
EP2AGZ350HF40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
EPF8820AQC208-3
Intel