casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTC143FCA-7
codice articolo del costruttore | DDTC143FCA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTC143FCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC143FCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC143FCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTC143FCA-7-FT |
BCR 133F B6327
Infineon Technologies
BCR 133F E6327
Infineon Technologies
BCR 135F E6327
Infineon Technologies
BCR 139F E6327
Infineon Technologies
BCR 141F E6327
Infineon Technologies
BCR 142F E6327
Infineon Technologies
BCR 146F E6327
Infineon Technologies
BCR 148F B6327
Infineon Technologies
BCR 148F E6327
Infineon Technologies
BCR 149F E6327
Infineon Technologies
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP3CLS100F484I7N
Intel
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
EP3C5E144I7
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation