casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA144GE-7-F
codice articolo del costruttore | DDTA144GE-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA144GE-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA144GE-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA144GE-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA144GE-7-F-FT |
BCR 101T E6327
Infineon Technologies
BCR 103T E6327
Infineon Technologies
BCR 108T E6327
Infineon Technologies
BCR 112T E6327
Infineon Technologies
BCR 114T E6327
Infineon Technologies
BCR 116T E6327
Infineon Technologies
BCR 119T E6327
Infineon Technologies
BCR 129T E6327
Infineon Technologies
BCR 133T E6327
Infineon Technologies
BCR 135T E6327
Infineon Technologies
XC3S50-5VQ100C
Xilinx Inc.
EP3C25F256C8
Intel
XC5VLX50T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
Intel
EP3C40F324C7
Intel