casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 119T E6327
codice articolo del costruttore | BCR 119T E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 119T E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 119T E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC-75 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 119T E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 119T E6327-FT |
PDTB143XQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTC114EQAZ
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PDTC144EQAZ
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Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Intel
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
EP1C6Q240C6
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