casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 101T E6327
codice articolo del costruttore | BCR 101T E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 101T E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 101T E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC-75 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 101T E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 101T E6327-FT |
PDTB113EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB113ZQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB114EQAZ
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PDTB143EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB143XQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTC114EQAZ
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PDTC114YQAZ
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Nexperia USA Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
P1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40C3
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
XC7VX690T-3FFG1930E
Xilinx Inc.
A54SX32A-BG329M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4
Intel