casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA124ECA-7
codice articolo del costruttore | DDTA124ECA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA124ECA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA124ECA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA124ECA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA124ECA-7-FT |
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 158L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 162L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 164L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 166L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 169L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 179L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 185F E6327
Infineon Technologies
BCR 185L3 E6327
Infineon Technologies
AGLN030V5-ZQNG68
Microsemi Corporation
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484C8G
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LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel