casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 166L3 E6327
codice articolo del costruttore | BCR 166L3 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 166L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 166L3 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 160MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-3-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 166L3 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 166L3 E6327-FT |
PDTA115EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123JMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA123YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA124EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA124TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA124XMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA143TMB,315
Nexperia USA Inc.
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel