casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA123YCA-7
codice articolo del costruttore | DDTA123YCA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA123YCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA123YCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA123YCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA123YCA-7-FT |
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 158L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 162L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 164L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 166L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 169L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 179L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 185F E6327
Infineon Technologies
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX110DF27C8
Intel
10M04DCF256C7G
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
Intel
LFXP3C-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation