casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA123TCA-7
codice articolo del costruttore | DDTA123TCA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA123TCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA123TCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA123TCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA123TCA-7-FT |
BCR 149L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 158L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 162L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 164L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 166L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 169L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 179L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies
LCMXO2-1200HC-6TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A15T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256I
Xilinx Inc.
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP3SL200F1517C3
Intel
XC6VHX380T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
XC4VFX100-10FF1152I
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation