casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA123TCA-7
codice articolo del costruttore | DDTA123TCA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA123TCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA123TCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA123TCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA123TCA-7-FT |
BCR 149L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 158L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 162L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 164L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 166L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 169L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 179L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies
XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
10AX016E4F29I3SG
Intel