casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA123ECA-7
codice articolo del costruttore | DDTA123ECA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA123ECA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA123ECA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA123ECA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA123ECA-7-FT |
BCR 148L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 149L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 158L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 162L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 164L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 166L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 169L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 179L3 E6327
Infineon Technologies
LFEC1E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FBG676I
Xilinx Inc.
MPF300T-1FCG484E
Microsemi Corporation
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FF1157I
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
AX1000-FGG676I
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
EP1SGX40GF1020C7N
Intel