casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA114TCA-7
codice articolo del costruttore | DDTA114TCA-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA114TCA-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA114TCA-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA114TCA-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA114TCA-7-FT |
BCR 129L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 133L3 E6327
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BCR 135L3 E6327
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BCR 139L3 E6327
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BCR 141L3 E6327
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BCR 142L3 E6327
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BCR 146L3 E6327
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BCR 148L3 E6327
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BCR 149L3 E6327
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BCR 151L3 E6327
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