casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / DDC142TH-7
codice articolo del costruttore | DDC142TH-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DDC142TH-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDC142TH-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 470 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDC142TH-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDC142TH-7-FT |
BCR08PNH6433XTMA1
Infineon Technologies
BCR08PNH6727XTSA1
Infineon Technologies
BCR108SE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR108SE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR108SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies
BCR10PNB6327XT
Infineon Technologies
BCR10PNE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR10PNH6727XTSA1
Infineon Technologies
BCR10PNH6730XTMA1
Infineon Technologies
XC3S1200E-5FG320C
Xilinx Inc.
XA3S1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU15P-L1FFVE1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1CQ256M
Microsemi Corporation
AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP4CE15E22C8N
Intel
5SGSED6N2F45I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC2VP50-6FF1148C
Xilinx Inc.