casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / BCR08PNH6727XTSA1
codice articolo del costruttore | BCR08PNH6727XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR08PNH6727XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR08PNH6727XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 170MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR08PNH6727XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR08PNH6727XTSA1-FT |
PEMB1,115
Nexperia USA Inc.
PEMB10,115
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PEMB13,115
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PEMB14,115
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PEMB15,115
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PEMB16,115
Nexperia USA Inc.
PEMB17,115
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PEMB18,115
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PEMB19,115
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PEMB2,115
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A42MX16-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
A1020B-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400C8N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel