casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / BCR08PNH6727XTSA1
codice articolo del costruttore | BCR08PNH6727XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR08PNH6727XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR08PNH6727XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 170MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR08PNH6727XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR08PNH6727XTSA1-FT |
PEMB1,115
Nexperia USA Inc.
PEMB10,115
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PEMB13,115
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PEMB14,115
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PEMB15,115
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PEMB16,115
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PEMB17,115
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PEMB18,115
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PEMB19,115
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PEMB2,115
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XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
5SGSED8K3F40C4N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP1K30QC208-1N
Intel