casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / BCR10PNE6327BTSA1
codice articolo del costruttore | BCR10PNE6327BTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR10PNE6327BTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR10PNE6327BTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 130MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR10PNE6327BTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR10PNE6327BTSA1-FT |
PEMB17,115
Nexperia USA Inc.
PEMB18,115
Nexperia USA Inc.
PEMB19,115
Nexperia USA Inc.
PEMB2,115
Nexperia USA Inc.
PEMB20,115
Nexperia USA Inc.
PEMB24,115
Nexperia USA Inc.
PEMB3,115
Nexperia USA Inc.
PEMB30,115
Nexperia USA Inc.
PEMB30,315
Nexperia USA Inc.
PEMB4,115
Nexperia USA Inc.
XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
Intel
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
Intel
10AX115S3F45E2SG
Intel
EP1S40F780C5N
Intel