casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / C3D20065D
codice articolo del costruttore | C3D20065D |
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Numero di parte futuro | FT-C3D20065D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C3D20065D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 60µA @ 650V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3D20065D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3D20065D-FT |
MBR40035CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40040CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40040CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTL
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MBR40045CTRL
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MBR60020CTL
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MBR60020CTRL
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MBR60030CTL
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MBR60035CTL
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A54SX32A-FTQ144
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EX64-FTQ100
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XC6SLX100-2FGG676C
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5SGSMD5K2F40C2LN
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A54SX08A-2TQG100I
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LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I1HG
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