casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBL157G C1G
codice articolo del costruttore | DBL157G C1G |
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Numero di parte futuro | FT-DBL157G C1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DBL157G C1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL157G C1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBL157G C1G-FT |
D2SB05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB10 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB10HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB20 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB20HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB40 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB40HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB60HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB80HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel