casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / D2SB10 D2G
codice articolo del costruttore | D2SB10 D2G |
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Numero di parte futuro | FT-D2SB10 D2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D2SB10 D2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D2SB10 D2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D2SB10 D2G-FT |
DBLS158GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS158GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel