casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / D2SB20HD2G
codice articolo del costruttore | D2SB20HD2G |
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Numero di parte futuro | FT-D2SB20HD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
D2SB20HD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D2SB20HD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D2SB20HD2G-FT |
DBLS159GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS203G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS203GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS203GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel